对比图
型号 MTW32N20EG STW40NF20 MTW32N20E
描述 功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247STMICROELECTRONICS STW40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V200V,32A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 32.0 A 40.0 A 32.0 A
通道数 1 - -
漏源极电阻 0.075 Ω 0.038 Ω 0.075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180 W 160 W 180 W
阈值电压 4 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 25.0 A, 40.0 A 32.0 A
上升时间 120 ns 44 ns 120 ns
输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 180 W 160 W -
下降时间 91 ns 22 ns 91 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 180W (Tc) 160W (Tc) 180W (Tc)
针脚数 - 3 -
输入电容 - 2.50 nF 3600pF @25V
栅电荷 - 75.0 nC -
宽度 5.3 mm 5.15 mm 5.3 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm 16.26 mm
高度 - 20.15 mm 21.08 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - EAR99