MJD44H11T4和MJD44H11T4-A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD44H11T4 MJD44H11T4-A MJD200T4G

描述 STMICROELECTRONICS  MJD44H11T4  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 20 W, 8 A, 60 hFE互补功率晶体管 Complementary power transistorsON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 20 W 20 W 12.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 25 V

集电极最大允许电流 - 8A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V 45 @2A, 1V

额定功率(Max) 20 W 20 W 1.4 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 20000 mW 20000 mW 1400 mW

额定电压(DC) 80.0 V - 25.0 V

额定电流 8.00 A - 5.00 A

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 60 - 70

频率 - - 65 MHz

额定功率 - - 1.4 W

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.6 mm - -

宽度 6.2 mm - -

高度 2.4 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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