对比图
型号 FQB6N60TM STB6NK60ZT4 STB9NK60ZT4
描述 N沟道 600V 6.2ASTMICROELECTRONICS STB6NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STB9NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 6.20 A 6.00 A 7.00 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 1.50 Ω 1 Ω 0.85 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.13W (Ta), 130W (Tc) 110 W 125 W
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
输入电容 - 905 pF -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.20 A 6.00 A 7.00 A
上升时间 - 14 ns 17 ns
输入电容(Ciss) 1000pF @25V(Vds) 905pF @25V(Vds) 1110pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W 110 W 125 W
下降时间 - 19 ns 15 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 130W (Tc) 110W (Tc) 125W (Tc)
通道数 - - 1
长度 - 10.75 mm 10.4 mm
宽度 - 10.4 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99