IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
38 | 2.582927 | 98.15 |
50 | 2.23857 | 111.93 |
100 | 2.066308 | 206.63 |
1000 | 1.89413 | 1894.13 |
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
38 | 2.582927 | 98.15 |
50 | 2.23857 | 111.93 |
100 | 2.066308 | 206.63 |
1000 | 1.89413 | 1894.13 |
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
13 | 7.461845 | 97.00 |
20 | 7.174742 | 143.49 |
50 | 6.887806 | 344.39 |
100 | 6.60087 | 660.09 |
300 | 6.31385 | 1894.16 |
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
45 | 2.152481 | 96.86 |
50 | 2.066308 | 103.32 |
100 | 1.980219 | 198.02 |
300 | 1.894213 | 568.26 |
500 | 1.808041 | 904.02 |
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
45 | 2.152481 | 96.86 |
50 | 2.066308 | 103.32 |
100 | 1.980219 | 198.02 |
300 | 1.894213 | 568.26 |
500 | 1.808041 | 904.02 |
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
45 | 2.152481 | 96.86 |
50 | 2.066308 | 103.32 |
100 | 1.980219 | 198.02 |
300 | 1.894213 | 568.26 |
500 | 1.808041 | 904.02 |
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