IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
30 | 3.300476 | 99.01 |
50 | 3.168384 | 158.42 |
100 | 3.036375 | 303.64 |
300 | 2.904366 | 871.31 |
500 | 2.772357 | 1386.18 |
数量 | 单价(含税) | 总价 |
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30 | 3.300476 | 99.01 |
50 | 3.168384 | 158.42 |
100 | 3.036375 | 303.64 |
300 | 2.904366 | 871.31 |
500 | 2.772357 | 1386.18 |
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