VBM1101M
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- 制造商编号：
- VBM1101M
- 制造商：
- VBsemi(台湾微碧)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：92mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：105W 类型：N沟道
- 渠道：
库存 ：72
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
VBM1101M
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：92mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：105W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
18A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
92mΩ @ 18A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
105W
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
VBM1101M品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
VBM1101M
型号：VBM1101M
品牌：VBsemi
供货：锐单
库存：72 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00