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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 58 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 120 S
上升时间 29 ns
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 7.6 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF60R217 SP001559662
单位重量 330 mg
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0IRF60R217
型号:IRF60R217
品牌:INFINEON
供货:锐单
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