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起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5000 | ¥2.326248 | ¥11631.24 |
10000 | ¥2.153988 | ¥21539.88 |
25000 | ¥2.132627 | ¥53315.67 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 64 A
漏源电阻 7.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 38 S
上升时间 2.6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 56 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM085P03CV
单位重量 304.151 mg
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0TSM085P03CV RGG
型号:TSM085P03CV RGG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
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5000+: | ¥2.326248 |
10000+: | ¥2.153988 |
25000+: | ¥2.132627 |
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