
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.908677 | ¥10.91 |
| 10 | ¥9.633637 | ¥96.34 |
| 25 | ¥9.049952 | ¥226.25 |
| 100 | ¥6.566457 | ¥656.65 |
| 250 | ¥6.333266 | ¥1583.32 |
| 500 | ¥5.486639 | ¥2743.32 |
| 1000 | ¥4.669481 | ¥4669.48 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 59 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 55.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 36 S
上升时间 22 ns
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM080NB03CR
单位重量 372.608 mg
购物车
0TSM080NB03CR RLG
型号:TSM080NB03CR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥10.908677 |
| 10+: | ¥9.633637 |
| 25+: | ¥9.049952 |
| 100+: | ¥6.566457 |
| 250+: | ¥6.333266 |
| 500+: | ¥5.486639 |
| 1000+: | ¥4.669481 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.91