货期:国内(1~3工作日)
起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
50 | ¥31.251843 | ¥1562.59 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK20E60W,S1VX
型号:TK20E60W,S1VX
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
50+: | ¥31.251843 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00