SPW20N60S5FKSA1概述
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5FKSA1, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列
欧时:
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5FKSA1, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
SPW20N60S5FKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 208 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 3000pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SPW20N60S5FKSA1
型号： SPW20N60S5FKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5FKSA1, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装