SI1032X-T1-GE3

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SI1032X-T1-GE3概述

VISHAY  SI1032X-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 200MA, SC-89, 整卷

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R


Allied Electronics:
SI1032X-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 0.2 A, 20 V, 3-Pin SC-75A


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R


富昌:
单 N 沟道 20 V 5 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SC89-3


Newark:
# VISHAY  SI1032X-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 20 V, 5 ohm, 6 V, 700 mV


SI1032X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

阈值电压 700 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 200 mA

上升时间 25 ns

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-89

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 0.95 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-89

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI1032X-T1-GE3
型号: SI1032X-T1-GE3
描述:VISHAY  SI1032X-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 200MA, SC-89, 整卷

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