SIS892DN-T1-GE3概述
VISHAY SIS892DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 1.2 V
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch, 48V telecom/server and DC-to-DC converter applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SIS892DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 52 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 13 ns
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Communications & Networking, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIS892DN-T1-GE3
型号： SIS892DN-T1-GE3
描述：VISHAY SIS892DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 1.2 V