SI5913DC-T1-E3

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SI5913DC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

上升时间 40 ns

下降时间 10 ns

封装参数

封装 ChipFET-8

外形尺寸

封装 ChipFET-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5913DC-T1-E3
型号: SI5913DC-T1-E3
描述:P通道20 - V(D -S)的MOSFET利用肖特基二极管 P-Channel 20-V D-S MOSFET with Schottky Diode

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