SI3483DV-T1-E3

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SI3483DV-T1-E3概述

VISHAY  SI3483DV-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -30 V, 0.028 ohm, -10 V, -1 V

The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.

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-55 to 150°C Operating temperature range

e络盟:
VISHAY  SI3483DV-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -30 V, 0.028 ohm, -10 V, -1 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin TSOP T/R


SI3483DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.028 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.14 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -6.20 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI3483DV-T1-E3
型号: SI3483DV-T1-E3
描述:VISHAY  SI3483DV-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -30 V, 0.028 ohm, -10 V, -1 V

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