SI6467BDQ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI6467BDQ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -12.0 V

连续漏极电流Ids -8.00 A

封装参数

引脚数 8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6467BDQ-T1-GE3

型号： SI6467BDQ-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Trans MOSFET P-CH 12V 6.8A 8Pin TSSOP T/R