SH8M5TB1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SH8M5TB1概述

MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 6A，7A 2W 表面贴装型 8-SOP

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8

安富利:
MOSFET; NCH+PCH 30V/-30V 6A/-7A SOP8

DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 30V SOP8

Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8

SH8M5TB1中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 520pF @10VVds

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SH8M5TB1引脚图与封装图

SH8M5TB1引脚图

SH8M5TB1封装图

SH8M5TB1封装焊盘图

在线购买SH8M5TB1

型号： SH8M5TB1

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8

替代型号SH8M5TB1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SH8M5TB1

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

SI4599DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

功能相似

SH8M5TB1和SI4599DY-T1-GE3的区别