SI5517DU-T1-GE3

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SI5517DU-T1-GE3概述

N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### 双 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


贸泽:
MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R


Allied Electronics:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R


富昌:
MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R


Newark:
# VISHAY  SI5517DU-T1-GE3  Dual MOSFET, N and P Channel, 6 A, 20 V, 0.032 ohm, 4.5 V, 1 V


SI5517DU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.032 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 8.3 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 7.20 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 8.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

外形尺寸

长度 3.08 mm

宽度 1.98 mm

高度 0.85 mm

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5517DU-T1-GE3
型号: SI5517DU-T1-GE3
描述:N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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