STB9NK80Z概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
表面贴装型 N 通道 800 V 5.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
STB9NK80Z中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.5 Ω
耗散功率 125 W
阈值电压 3.75 V
输入电容 1.138 nF
漏源极电压Vds 800 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1138pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STB9NK80Z
型号： STB9NK80Z
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V