Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8Pin SOIC N T/R
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 3A 1.2W 表面贴装型 8-SO
得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC
DeviceMart:
MOSFET P-CH DUAL 30V 3.0A 8-SOIC
漏源极电阻 0.135 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 1.2 W
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -3.00 A
上升时间 9 ns
热阻 87℃/W RθJA
额定功率Max 1.2 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4947ADY-T1-E3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SI4947ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix | 完全替代 | SI4947ADY-T1-E3和SI4947ADY-T1-GE3的区别 |
FDR8508P 飞兆/仙童 | 功能相似 | SI4947ADY-T1-E3和FDR8508P的区别 |
SI4947ADY-T1 Vishay Siliconix | 功能相似 | SI4947ADY-T1-E3和SI4947ADY-T1的区别 |