SI4913DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4913DY-T1-GE3概述

MOSFET 20V 9.4A 2W 15mohm @ 4.5V

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 7.1A 1.1W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

贸泽:
MOSFET 20V 9.4A 2.0W 15mohm @ 4.5V

DeviceMart:
MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC

SI4913DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 9.40 A

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4913DY-T1-GE3

型号： SI4913DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 9.4A 2W 15mohm @ 4.5V

替代型号SI4913DY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4913DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI4913DY-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI4913DY-T1-GE3和SI4913DY-T1-E3的区别
SI9933CDY-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI4913DY-T1-GE3和SI9933CDY-T1-E3的区别
SI9934BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI4913DY-T1-GE3和SI9934BDY-T1-E3的区别