SPA11N80C3XKSA2概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
SPA11N80C3, SP000216321
得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
欧时:
INFINEON MOSFET SPA11N80C3XKSA2
立创商城:
N沟道 800V 11A
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A
SPA11N80C3XKSA2中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.39 Ω
耗散功率 34 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 800 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1600pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 34W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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