SIB411DK-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIB411DK-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

表面贴装型 P 通道 20 V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK® SC-75-6

得捷:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6

SIB411DK-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 2.4W Ta, 13W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -9.00 A

输入电容Ciss 470pF @10VVds

耗散功率Max 2.4W Ta, 13W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-75-6L

外形尺寸

封装 SC-75-6L

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB411DK-T1-GE3

型号： SIB411DK-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

替代型号SIB411DK-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SIB411DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SIB411DK-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SIB411DK-T1-GE3和SIB411DK-T1-E3的区别
SIB455EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SIB411DK-T1-GE3和SIB455EDK-T1-GE3的区别
SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Intertechnology	功能相似	SIB411DK-T1-GE3和SIB441EDK-T1-GE3的区别