SI5475BDC-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5475BDC-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

表面贴装型 P 通道 6A（Ta） 2.5W（Ta），6.3W（Tc） 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

SI5475BDC-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.5W Ta, 6.3W Tc

漏源极电压Vds 12 V

输入电容Ciss 1400pF @6VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 6.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5475BDC-T1-GE3

型号： SI5475BDC-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

替代型号SI5475BDC-T1-GE3