SI4170DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4170DY-T1-GE3概述

MOSFET 30V 30A 6W 3.5mohm @ 10V

表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO

贸泽:
MOSFET 30V 30A 6.0W 3.5mohm @ 10V

SI4170DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3W Ta, 6W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 4355pF @15VVds

耗散功率Max 3W Ta, 6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4170DY-T1-GE3

型号： SI4170DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 30V 30A 6W 3.5mohm @ 10V

替代型号SI4170DY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4170DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
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