SCT2H12NYTB概述
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V
表面贴装型 N 通道 1700 V 4A（Tc） 44W（Tc） TO-268
得捷:
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
欧时:
MOSFET N-Ch 1700V 4A SiC TO-268-2L
贸泽:
MOSFET N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide
e络盟:
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin2+Tab TO-268L T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 1700V 4A 3-Pin TO-268 Emboss T/R
SCT2H12NYTB中文资料参数规格
技术参数
针脚数 2
漏源极电阻 1.15 Ω
极性 N-CH
耗散功率 44 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 1700 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 184pF @800VVds
下降时间 74 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 44W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买SCT2H12NYTB
型号： SCT2H12NYTB
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V