TLV2342IDR

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TLV2342IDR概述

OP Amp Dual GP 8V 8Pin SOIC T/R

CMOS 放大器 2 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps Dual LinCMOS Lo-Vltg High-Speed


艾睿:
OP Amp Dual GP 8V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP 8V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
OP Amp Dual GP 8V 8-Pin SOIC T/R


Win Source:
IC OPAMP GP 1.7MHZ 8SOIC


TLV2342IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤30 mA

供电电流 1.4 mA

电路数 2

通道数 2

耗散功率 0.725 W

共模抑制比 65dB ~ 80dB

输入补偿漂移 2.70 µV/K

带宽 790 kHz

转换速率 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz

输入补偿电压 1.1 mV

输入偏置电流 0.6 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

增益带宽 1.7 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压Max 8 V

电源电压Min 2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TLV2342IDR引脚图与封装图
TLV2342IDR引脚图
TLV2342IDR封装图
TLV2342IDR封装焊盘图
在线购买TLV2342IDR
型号: TLV2342IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:OP Amp Dual GP 8V 8Pin SOIC T/R
替代型号TLV2342IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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TI 德州仪器

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TLV2342ID

德州仪器

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TLV2342IDR和TLV2342ID的区别

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