IXYS SEMICONDUCTOR IXFR200N10P 晶体管, MOSFET, N沟道, 133 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 V
通孔 N 通道 133A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247™
得捷:
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 133 A, 100 V, 0.009 ohm, 15 V, 5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 133A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 133A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 133 A
上升时间 35 ns
隔离电压 2.5 kV
反向恢复时间 150 ns
输入电容Ciss 7600pF @25VVds
下降时间 90 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
宽度 5.21 mm
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15