IRFP254PBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
输入电容 2700pF @25V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 23.0 A
上升时间 63 ns
输入电容Ciss 2700pF @25VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IRFP254PBF
型号： IRFP254PBF
描述：N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
替代型号IRFP254PBF
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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