IRFIB6N60APBF概述
VISHAY IRFIB6N60APBF. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V
The is a 600V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, uninterruptible power supply and high speed power switching applications.
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- Low gate charge Qg results in simple drive requirement
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- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
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- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
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- High voltage isolation
IRFIB6N60APBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.75 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.8 mm
封装 TO-220-3
其他
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IRFIB6N60APBF
型号： IRFIB6N60APBF
描述：VISHAY IRFIB6N60APBF. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V