IPW90R1K2C3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPW90R1K2C3概述

INFINEON IPW90R1K2C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247

贸泽:
MOSFET N-Ch 900V 5.1A TO247-3 CoolMOS C3

安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin TO-247 Tube

力源芯城:
900V,1200mΩ,5.1A,N沟道功率MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247

DeviceMart:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247

IPW90R1K2C3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.94 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 5.10 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 710pF @100VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPW90R1K2C3

型号： IPW90R1K2C3

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON IPW90R1K2C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

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