IS42S16160D-75EBLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S16160D-75EBLI-TR概述

动态随机存取存储器 256M 16Mx16 133MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 133MHz 5.5ns 54-TFBGA 8x13

得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 256M 16Mx16 133MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R

IS42S16160D-75EBLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 7.5 ns

存取时间Max 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

长度 13 mm

宽度 8 mm

高度 0.8 mm

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42S16160D-75EBLI-TR

型号： IS42S16160D-75EBLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 256M 16Mx16 133MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

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