IS42S32400E-6BLI-TR

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IS42S32400E-6BLI-TR概述

128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT, T&R

SDRAM Memory IC 128Mb 4M x 32 Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA T/R


安富利:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin W-BGA T/R


IS42S32400E-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S32400E-6BLI-TR
型号: IS42S32400E-6BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT, T&R
替代型号IS42S32400E-6BLI-TR
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IS42S32400E-6BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

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完全替代

IS42S32400E-6BLI-TR和IS42S32400F-6BLI-TR的区别

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