INFINEON IPW90R1K0C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 900 V, 1 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K0C3FKSA1, 5.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO247-3
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 900 V, 5.7 A, 1 ohm, TO-247, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.6A; 89W; PG-TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# INFINEON IPW90R1K0C3FKSA1 MOSFET Transistor, N Channel, 5.7 A, 900 V, 1 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
额定功率 89 W
针脚数 3
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 89 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 5.70 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 850pF @100VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 89W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, 电源管理, 消费电子产品, 工业, Lighting, 照明
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17