IRG7PH50K10D-EPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG7PH50K10D-EPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 400000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube

IGBT 1200V 90A 400W Through Hole TO-247AD

得捷:
IGBT 1200V 90A 400W TO247AD

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 400000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube

TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 90A; 400W; TO247AC

IRG7PH50K10D-EPBF中文资料参数规格

技术参数

额定功率 400 W

耗散功率 400000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 130 ns

额定功率Max 400 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 400000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IRG7PH50K10D-EPBF

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 400000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube