PLUS N-CH 500V 50A
通孔 N 通道 50A（Tc） 520W（Tc） PLUS247™-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3
艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this IXFX50N50 power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 520000 mW. This device is made with hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin3+Tab PLUS 247
极性 N-CH
耗散功率 520 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 9400pF @25VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFX50N50 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFK50N50 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFX50N50和IXFK50N50的区别 |
IRFPS40N50L 威世 | 功能相似 | IXFX50N50和IRFPS40N50L的区别 |
APT5010LLC 美高森美 | 功能相似 | IXFX50N50和APT5010LLC的区别 |