IXTH48N20参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTH48N20概述

Trans MOSFET N-CH 200V 48A 3Pin3+Tab TO-247AD

通孔 N 通道 200 V 48A（Tc） 275W（Tc） TO-247（IXTH）

得捷:
MOSFET N-CH 200V 48A TO247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 48A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
N-Channel Enhancement Mode | MOSFET N-CH 200V 48A TO-247

IXTH48N20中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 275W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

耗散功率Max 275W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH48N20

型号： IXTH48N20

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 200V 48A 3Pin3+Tab TO-247AD

替代型号IXTH48N20