IXFT14N80P参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXFT14N80P图片1

IXFT14N80P概述

TO-268 N-CH 800V 14A

表面贴装型 N 通道 800 V 14A（Tc） 400W（Tc） TO-268

得捷:
MOSFET N-CH 800V 14A TO268

贸泽:
MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin2+Tab TO-268

IXFT14N80P中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 720 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 400 W

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 14A

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

耗散功率Max 400W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFT14N80P

型号： IXFT14N80P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-268 N-CH 800V 14A

替代型号IXFT14N80P

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXFT14N80P IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXFV14N80P IXYS Semiconductor	类似代替	IXFT14N80P和IXFV14N80P的区别
IXFH14N80P IXYS Semiconductor	功能相似	IXFT14N80P和IXFH14N80P的区别
IXFQ14N80P IXYS Semiconductor	功能相似	IXFT14N80P和IXFQ14N80P的区别