IXFH14N60P

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IXFH14N60P概述

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™


得捷:
MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD


欧时:
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立创商城:
N沟道 600V 14A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin3+Tab TO-247AD


IXFH14N60P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 14.0 A

漏源极电阻 550 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 300W Tc

输入电容 2.30 nF

栅电荷 38.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 2300pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IXFH14N60P
型号: IXFH14N60P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
替代型号IXFH14N60P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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