IXTP100N04T2概述
TO-220 N-CH 40V 100A
通孔 N 通道 40 V 100A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
贸泽:
MOSFET 100 Amps 40V
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
IXTP100N04T2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 7 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 5.2 ns
输入电容Ciss 2690pF @25VVds
下降时间 6.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号IXTP100N04T2
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTP100N04T2 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTA100N04T2 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXTP100N04T2和IXTA100N04T2的区别 |