IXKT70N60C5

IXKT70N60C5图片1
IXKT70N60C5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 40 mΩ

耗散功率 -

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 6800pF @100VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IXKT70N60C5
制造商: IXYS Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 600V 68A TO-268

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