N沟道 300V 86A
N-Channel 300V 86A Tc 860W Tc Through Hole TO-247AD IXFH
得捷:
MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD
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N沟道 300V 86A
贸泽:
MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 86A 3-Pin3+Tab TO-247
Win Source:
MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
极性 N-CH
耗散功率 830 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 86A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 11300pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 860W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFH86N30T IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTQ80N28T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFH86N30T和IXTQ80N28T的区别 |