IXXX200N65B4参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXXX200N65B4图片1

IXXX200N65B4图片2

IXXX200N65B4图片3

IXXX200N65B4图片4

IXXX200N65B4概述

IGBT Transistors 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT

IGBT PT 650 V 370 A 1150 W 通孔 PLUS247™-3

得捷:
IGBT 650V 370A 1150W PLUS247

贸泽:
IGBT Transistors 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXXX200N65B4中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1150 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 1150 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXXX200N65B4

型号： IXXX200N65B4

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT Transistors 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT