INFINEON IPAW60R190CEXKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26.7 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V 新
通孔 N 通道 26.7A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
得捷:
MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220
欧时:
MOSFET CoolMOS CE N-Ch 600V 26A TO-220FP
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N沟道 600V 26.7A
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MOSFET CONSUMER
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Trans MOSFET N-CH Si 600V 26.7A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
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通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 34 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 26.7A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1400pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 34000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17