IPAW60R190CEXKSA1

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IPAW60R190CEXKSA1概述

INFINEON  IPAW60R190CEXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26.7 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V 新

通孔 N 通道 26.7A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包


得捷:
MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220


欧时:
MOSFET CoolMOS CE N-Ch 600V 26A TO-220FP


立创商城:
N沟道 600V 26.7A


贸泽:
MOSFET CONSUMER


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 26.7 A, 0.17 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 26.7A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 26.7A 3-Pin TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 26.7A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# INFINEON  IPAW60R190CEXKSA1  MOSFET, N-CH, 600V, 26.7A, TO-220FP-3 New


IPAW60R190CEXKSA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.17 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 34 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 26.7A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1400pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 34000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPAW60R190CEXKSA1
型号: IPAW60R190CEXKSA1
描述:INFINEON  IPAW60R190CEXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26.7 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V 新

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