IRFB9N60A参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFB9N60A概述

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB

N-Channel 600V 9.2A Tc 170W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB

IRFB9N60A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 170W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 1400pF @25VVds

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRFB9N60A

型号： IRFB9N60A

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB

替代型号IRFB9N60A

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRFB9N60A

Vishay Siliconix

当前型号

IRFB9N60APBF

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