JAN2N6989

JAN2N6989概述

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin TO-116

Bipolar BJT Transistor Array 4 NPN Quad 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 1500mW 14-Pin TO-116 Tube


JAN2N6989中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 14

封装 DIP-14

外形尺寸

封装 DIP-14

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N6989
型号: JAN2N6989
描述:Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin TO-116
替代型号JAN2N6989
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JAN2N6989

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTXV2N6989

美高森美

完全替代

JAN2N6989和JANTXV2N6989的区别

2N6989

美高森美

完全替代

JAN2N6989和2N6989的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台