1.命名中国半导体器件型号的方法
半导体器件型号由五部分组成：场效应器件、半导体特殊器件、复合管PIN型管和激光器件的型号命名仅由第三、四、五部分组成。五个部分的含义如下:
第一部分:半导体器件的有效电极数用数字表示。2-二极管，3-三极管
第二部分：半导体器件的材料和极性用汉语拼音字母表示。表示二极管：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:半导体器件的内型用汉语拼音字母表示。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)Y-体效器件，B-雪崩管、J-阶跃恢复管，CS-场效应管、BT-半导体特殊器件，FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN硅材料高频三极管
2.日本半导体分立器件型号的命名方法
日本生产的半导体分立器件由五到七部分组成。通常只使用前五部分，各部分的符号意义如下：
第一部分:用数字表示器件有效电极的数量或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或两个pn其他结的设备，3-有四个有效电极或三个pn其他结的设备，┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-日本电子工业协会表示JEIA半导体分立器件注册。
第三部分：用字母表示材料的极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅，G-N控制极可控硅，H-N基极单结晶体管，J-P沟通场效应管，K-N沟通场效应管，M-双向可控硅。
第四部分:日本电子工业协会用数字表示JEIA注册顺序号。从11开始，两个以上的整数表示在日本电子工业协会JEIA注册顺序号；同一顺序号可用于不同公司性能相同的设备；数字越大，最近的产品就越多。
第五部分：用字母表示同一型号的改进产品标志。A、B、C、D、E、F该装置是原型号产品的改进产品。
3.美国半导体分立器件型号的命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名方法混乱。美国电子工业协会半导体分立器件的命名方法如下：
第一部分：用符号表示设备用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。
第二部分:用数字表示:pn结数。1-二极管，2=三极管，3-3个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该装置已在美国电子工业协会使用（EIA）注册登记。
第四部分：美国电子工业协会的注册顺序号。多位数字-设备在美国电子工业协会注册的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同型号设备的不同档次。JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级，2-3极管，N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号，A-2N3251A档。
4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家，以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大多采用国际电子联合会半导体分立器件的命名方法。该命名方法由四个基本部分组成，每个部分的符号和意义如下：
第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-设备使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-使用材料的设备Eg=1.0~1.3eV如硅、C -使用材料的设备Eg>1.3eV如砷化镓、D-使用材料的设备Eg<0.6eV如锑化铟、E-该装置采用复合材料和光电池材料
第二部分：用字母表示器件的类型和主要特征。A-混频二极管检波开关B-变容二极管，C-低频小功率三极管，D-低频大功率三极管，E-隧道二极管， F-高频小功率三极管，G-复合器件等器件，H-磁敏二极管，K-开放磁路中的霍尔元件，L-高频大功率三极管，M-霍尔元件在封闭磁路中，P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管，S-小功率开关管，T-大功率晶闸管，U-大功率开关管，X-倍增二极管、Y-二极管整流，Z-稳压二极管。
第三部分：注册号用数字或字母加数字表示。三位数字代表通用半导体器件的注册号，一个字母加两位数字代表特殊半导体器件的注册号。
第四部分：用字母对同一类型的设备进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的设备按某一参数分档。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
1.稳压二极管型号后缀。后缀的第一部分是表示稳定电压值允许误差范围的字母A、B、C、D、E分别表示允许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；后缀的第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V后的数字为标称稳压管的小数值。
2.整流二极管后缀为数字，表示设备最大反向峰值耐压值，单位为伏特。
3.晶闸管型号的后缀也是数字，通常标记最大反向峰值耐压值和最大反向关闭电压中较小值的电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
5.欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半导体器件
第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管，CP-光电三极管，AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数-表示设备的注册序号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示相同型号设备的变形产品。
这里不介绍俄罗斯半导体器件型号命名法，因为使用少。 ———————————————— 版权声明：本文为CSDN博主「tszy208」遵循原创文章 CC 4.0 BY-SA 版权协议，请附上原始来源链接和本声明。 原文链接：https://blog.csdn.net/tszy208/article/details/74625888