匹配规则
- 器件尺寸。增大尺寸可以减小边缘效应，但同时带来大的寄生效应。
- 方向。方向一致，减少横向工艺误差造成的不匹配。
- 温度。匹配大功率设备
- 接触孔位置。不理解
- 金属线。 没理解
晶体管匹配
与电路、栅极到源极电压的差异匹配； 电流镜电路，漏极电流匹配。
低度匹配：漏极电流失配为几个百分点，一般不能满足电压匹配，超过10mv。 中度匹配：5mv, 1% 高度匹配：1mv, 0.1%
指标：可将电压偏差降低到5mv，漏极电流误差为1% 。
- 相同长度。
- 同方向。栅极朝向一致。
- 相同的质地，中等以上的匹配晶体管，必须是相同的重心布局。分割大型晶体管，用几根手指安装晶体管。同时，它应该放在交叉阵列中。
- 放置在阵列晶体管的末端dummy 确保晶体管末段的精度。(末段？ 指两端加dummy 吗？）
- 不要将金属连接到需要匹配的晶体管上。减少噪声和耦合的影响。(不要跨晶体管水平或垂直连接吗？ ）
- 晶体管需要匹配 尽量远离大功耗器件，开关晶体管（Power down 数字晶体管，减少耦合影响。
- 金属线用于连接栅。不要使用多晶硅。
- 使用NMOS继续宁匹比PMOS更好。
电阻匹配
指标： 减少电阻工艺误差 3% 。
- 三种匹配原则：相同的方向，相同的设备，相互接近。
- 相同相同，宽度相同 长电阻，相同间距
- 高精度电阻，建议电阻宽度为工艺最小宽度的5倍，有效减少工艺误差。
- 需要匹配的电阻放置在两端dummy ，准确实现匹配电阻的宽度和长度 。(理由无法理解)
- 避免使用短电阻，中度匹配电阻应大于5方块电阻，精确匹配电阻不小于50um。 (如何理解这里的方块和距离？
- 交叉阵列电阻。 (图中不要求共质心 复制一维即可）
- 远离大功率设备，开关晶体管，数字晶体管
- 不要在匹配的电阻上使用金属连接
- 电阻值小于20欧姆的电阻由金属层制成，获得准确的电阻值(金属层制成电阻？
电容匹配规则
- 三种匹配规则
- 单位电容器
- 正方块电容，四个角最好切到45度角。(？ ？ 怎样切到45？
- 四周放dummy
- 单位电容的电容值略大。边长一般为20 - 50 um 之间。
- 纵横比尽量1:1
- 将匹配电容器的上极板连接到高阻抗信号，以减少寄生电容器。如果也非常关心底部的噪声耦合，建议在整个电容器上建立一个N陷阱，最好连接到一个干净的模拟参考电压，如接地
- 远离大功耗等
- 金属线不在匹配电容上… (这是不是有点难？走预留通道吗？这样会增加面积)
[1]姚芳, 李秋利. 浅谈CMOS模拟集成电路布局设计的设备匹配方法[J]. 集成电路通信， 2008, 26(4):7.