J. Bastos, M. Steyaert, B. Graindourze and W. Sansen, “Matching of MOS transistors with different layout styles,” Proceedings of International Conference on Microelectronic Test Structures, 1996, pp. 17-18, doi: 10.1109/ICMTS.1996.535615.
摘要
提出了不同布局风格的一种NMOS为了研究晶体管对测试芯片对匹配的影响。 发现常见的质心结构比手指式结构具有更好的匹配性能。 与简单矩形结构的测量结果一致，它们没有显示系统不匹配，并且依赖于通道面积。 在封装引起的裸片应力下，
结论是建议公共质心
调研
太老的文章调研不需太重视。 除了一般晶体管匹配理论 [1] 之外，关于 不同 匹配行为的信息很少。 匹配研究通常在简单的矩形晶体管上进行，对于大的 $\frac{W}{L} 比变得不切实际。 基于过程梯度、温度梯度、各向异性效应和边界效应 [2] 假设几种布局规则被广泛接受用于最佳匹配。 。 然而，对于两个以上的晶体管，这些结构变得越来越复杂，并将受到面积的严重影响。本文描述了标准中的测试芯片 0.7~ CMOS 该技术研究了四种不同的晶体管布局风格 $\frac{W}{L} 匹配行为的比例 .