关于三极管，我相信每个从事硬件的人都应该看到基本原理。现在我们知道了新的，所以。
我在这里准备了几个问题，
，这似乎强调了二极管原理PN结单导电性矛盾。
与电压无关；
即：Ic与Ib为什么会有固定的放大倍数关系？虽然基区很薄，但只要Ib为零，则Ic即为零。
。
传统讲法一般分为三个步骤NPN以下所有讨论为例NPN以型硅管为例)，如下图所示。
：这种讲解方法在第3步中，讲解集电极电流Ic在形成原因时，集电区的反偏导通并没有集中在载流子的性质上，从而产生了Ic，而是。以为只要Vc足够大基区足够薄，集电结就可以反向导通，PN结的单向导电性会失效。事实上，这与三极管的电流放大原理正好相矛盾。三极管的电流放大原理正好要求放大Ic与Vc在数量上必须无关，Ic只能受控于Ib。
：三极管饱和状态三极管的饱和状态。当三极管在饱和区工作时，Vc值很小，甚至低于Vb，此时仍有大量的反向饱和电流Ic，也就是说在Vc在很小的时间内，集电结仍然会出现反向导通。这显然是强调的Vc高电位作用矛盾。
：传统讲法第二步过于强调基区薄，容易引起这样的误解，认为基区足够薄支撑三极管集电结的反向导通。只要基区足够薄，集电结就可能丢失PN结的单向导电特性。显然，人们使用三极管内部的两个PN结的单向导电性与管脚名称的经验相矛盾。即使基区很薄，人们在判断管脚名称时也没有发现基区很薄PN结单导电性失效。基地很薄，但两个PN结的单向导电特性仍然完好无损，这给了人们判断三极管脚名称的方法和依据。
：第二步解释为什么Ic会受Ib控制，并且Ic与Ib当两者之间存在固定的比例关系时，图像无法解释。只是在过程中强调基础区域的薄度和混合度较低，不能从根本上解释为什么电流放大倍数保持不变。
：原则上分离二极管与三极管的自然联系无法实现内容的自然过渡。二极管的原理强调了矛盾的概念PN结单反向导电截止，三极管原理要求PN结可以反向导通。同时，晶体三极管与电子三极管在电流放大原理上的历史联系也无法体现。
如果你想自然地解释问题，你必须选择合适的切入点。
我们从二极管的原理入手。
二极管的结构和原理非常简单，内部是一个PN结具有单向导电性，如图。
显然，二极管处于反偏状态，PN结束。这里的截止状态要特别注意，，也就是说PN总有反向关不断的现象，PN单向导电性不是100%。
？
这主要是因为P区除了掺杂产生的大多数载流子空穴外，本征载流子的电子总是很少。N除了大多数载流子电子外，区域也是如此。
PN结反偏时，能正向导电的大多数载流子被拉向电源，使PN结变厚，大多数载流子结变厚PN承担起载流导电的功能。
所以，此时。
从上图可以看出，PN结的内电场方向是从N区指向P区，这个内电场是少子穿过的PN起到促进作用。
泄漏电流非常小，因为少数载流子的数量太少。显然，泄漏电流的大小主要取决于少数载流子的数量。如果你想人为地增加泄漏电流，只要你想办法增加少数载流子的数量。
因此，如图所示，。
其实，。
光敏二极管和普通光敏二极管一样，PN结具有单向导电性。因此，光敏二极管工作时应增加反向电压，如图所示。
，一般为1×10-8 —1×10 -9A此时相当于光敏二极管于光敏二极管的截止日期；
当有光时，PN结合附近光子的轰击，半导体价格电子吸收光子能量光子能量，产生电子空穴对。这些载流子的数量对大多数载流子影响不大，但对于P区和N区的少数载流子，少数载流子的浓度会大大提高。在反向电压的作用下，反向饱和泄漏电流会大大增加，光电流会随着射光强度的变化而变化。
当光电流通过负载R时，电阻两端会得到随射光变化的电压信号。光敏二极管就是这样完成电功能转换的。
光敏二极管处于反向偏差状态，因为光可以增加少数载流子的数量，所以光会导致反向泄漏电流的变化，人们使用这个原因来制造光敏二极管。由于此时泄漏电流的增加是人为的，因此泄漏电流的增加部分很容易实现人为控制。
说到这里，一定要重点说明PN当结正反偏时，大多数载流子和少数载流子的作用及其性质。。因此，正偏电流大，反偏电流小，PN结显示单向电性。
特别要注意，，即使在正偏时，大多数载流子通过正向通过PN结也容易。
大家知道PN结中有一个由大多数载流子相互扩散引起的内电场，内电场的作用方向总是阻碍大多数载流子的正通过。因此，大多数载流子正通过PN结时需要克服内电场的作用，约0.7伏的外加电压是PN结向导通的门电压。
相反，在电源的作用下，内电场将得到加强PN结加厚，少数载流子反向通过PN结时，通过内电场和少数载流子的作用方向PN结的方向是一致的，也就是说，此时。
这就导致了以上：，即使在正偏时，大多数载流子通过正向通过PN结也容易。
这个结论可以很好地解释上述问题2，即教科书后续内容中提到的三极管的饱和状态。在饱和状态下，集电极电位非常低，甚至接近或略低于基极电位，集电结处于零偏置，但仍会有较大的集电结反向电流Ic产生。
继续讨论PN结的反偏状态。
利用光控制少数载流子产生的数量，可以人工控制泄漏电流的大小。在这种情况下，人们自然会考虑是否可以改变控制方法，而不是光，而是增加N或P区少数载流子的数量，从而实现PN控制结漏电流。
也就是说，不使用光的方法，而是使用电的方法来控制电流（光增加为本征载流子，后续电注入增加为掺杂载流子，本征载流子成对出现，电子空穴对应，正负对应。这不同于掺杂载流子）。
接下来重点讨论P区，P区地区的少数载流子是电子的。最好的方法是将电子注入P区，如图所示，然后在P区下加入N型半导体。
其实上图是NPN晶体三极管的雏形与三极管的名称和功能完全相同。
为方便讨论，以下我们对图中所示的各个部分的名称直接采用与三极管相应的名称（如“发射结”，“集电极”等）。
下发射区N型半导体中有大量电子作为大多数载流子。如图所示，只要发射结正偏，就很容易将发射区的电子注入或发射到P区（基区）。
具体来说，在基极和发射极之间增加足够的正门电压(约0.7伏)就够了。在外门电压的作用下，发射区的电子很容易被发射到基区，从而实现基区少数载流子电子数量的变化。
发射结加上正偏电压导通后，在外加电压的作用下，发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。
这些载流子一旦进入基区，它们在基区（P区）的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述，少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结，所以，这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结到达集电区形成集电极电流Ic。
由此可见，集电极电流的形成并不是一定要靠集电极的高电位。。这种载流子的发射注入程度与集电极电位的高低没有什么关系。
这正好能自然地说明，。放大状态下Ic并不受控于Vc，Vc的作用主要是维持集电结的反偏状态，以此来满足三极管放大态下所需要外部电路条件。
对于Ic还可以做如下结论：。
接着上面的讨论，集电极电流Ic与集电极电位Vc的大小无关，主要取决于
通过上面的讨论，现在已经明白，三极管在电流放大状态下，内部的主要电流就是由载流子电子由发射区经基区再到集电区贯穿三极管所形成。也就是贯穿三极管的电流Ic主要是电子流。
这种贯穿的电子流与历史上的电子三极管非常类似。下图就是。电子三极管的电流放大原理因为其结构的直观形象，可以很自然得到解释。
我之前还写过电子管的工作原理，感兴趣的同学可以看看：
很容易理解，电子三极管Ib与Ic之间的固定比例关系，主要取决于电子管栅极（基极）的构造。
当外部电路条件满足时，电子三极管工作在放大状态。在放大状态下，穿过管子的电流主要是由发射极经栅极再到集电极的电子流。电子流在穿越栅极时，很显然栅极会对其进行截流，截流时就存在着一个。
截流比的大小，则主要与栅极的疏密度有关，如果栅极做的密，它的等效截流面积就大，截流比例自然就大，拦截下来的电子流就多。反之截流比小，拦截下来的电子流就少。
栅极拦截下来的电子流其实就是电流Ib，其余的穿过栅极到达集电极的电子流就是Ic。从图中可以看出，只要栅极的结构尺寸确定，那么截流比例就确定，也就是Ic与Ib的比值确定。
所以，只要管子的内部结构确定，这个比值就固定不变。由此可知，。栅极越密则截流比例越大，相应的β值越低，栅极越疏则截流比例越小，相应的β值越高。
。
晶体三极管的基极就相当于电子三极管的栅极，基区就相当于栅网，只不过晶体管的这个栅网是动态的是不可见的。放大状态下，贯穿整个管子的电子流在通过基区时，基区与电子管的栅网作用相类似，会对电子流进行截流（电子穿过基区时会与基区空穴复合消失）。
如果基区做得薄，掺杂度低，基区的空穴数就会少，那么空穴对电子的截流量就小，这就相当于电子管的栅网比较疏一样，反之截流量就会大。
很明显只要晶。所以，。
与电子管不同的是，晶体管的截流主要是靠分布在基区的带正电的“空穴”对贯穿的电子流中带负电的“电子”中和来实现。所以，截流的效果主要取决于基区空穴的数量。
而且，这个过程是个动态过程，“空穴”不断地与“电子”中和，同时“空穴”又不断地会在外部电源作用下得到补充。在这个动态过程中，空穴的等效总数量是不变的。基区空穴的总数量主要取决于掺“杂”度以及基区的厚薄，只要晶体管结构确定，基区空穴的总定额就确定，其相应的动态总量就确定。
这样，截流比就确定，晶体管的电流放大倍数的值就是定值。。
比例关系说明，放大状态下电流Ic按一个固定的比例受控于电流Ib，这个固定的控制比例主要取决于晶体管的内部结构。
对于Ib等于0的截止状态，问题更为简单。当Ib等于0时，说明外部电压Ube太小，没有达到发射结的门电压值，发射区没有载流子“电子”向基区的发射注入，所以，此时既不会有电流Ib，也更不可能有电流Ic。
另外，从纯数学的电流放大公式更容易推出结论，Ic=βIb，Ib为0，很显然Ic也为0。
以上，我们用了一种新的切入角度，对三极管的原理在讲解方法上进行了探讨。特别是对晶体三极管放大状态下，集电结为什么会反向导电形成集电极电流做了重点讨论，同时，对三极管的电流放大倍数为什么是定值也做了深入分析。
这种讲解方法的关键，在于强调二极管与三极管在原理上的联系。
其实，从二极管PN的反向截止特性曲线上很容易看出，只要将这个特性曲线转过180度，如图所示，它的情形与三极管的输出特性非常相似。
这说明了二极管与三极管在原理上存在着很必然的联系。所以，在讲解方法上选择这样的切入点，从PN结的反偏状态入手讲三极管，就显得非常合适。而且，这样的讲解会使问题变得浅显易懂生动形象，前后内容之间自然和谐顺理成章。
这种讲法的不足点在于，从PN结的漏电流入手讲起，。
本征载流子对电流放大没有贡献，本征载流子的电流对晶体管的特性影响往往是负面的，是需要克服的。晶体管电流放大作用主要靠掺杂载流子来实现。要注意在概念上进行区别。
另外，还要注意说明，从本质上晶体内部有关载流子的问题其实并不简单，它涉及到晶体的能级分析能带结构，以及载流子移动的势垒分析等。所以，并不是随便找一种或两种具有载流子的导体或半导体就可以制成PN结，就可以制成晶体管，晶体管实际的制造工艺也并不是如此简单。
这样的讲解方法主要是在不违反物理原则的前提下，试图把问题尽量地简化，尽量做到浅显易懂，以便于理解与接受。这才是这种讲解方法的主要意义所在。